Micron, ha annunciato la produzione, in collaborazione con Intel, dei primi moduli a 20nm con capacità di ben 128Gb, il doppio dei precedenti moduli a 64Gb sempre con processo produttivo a 20nm.Il nuovo processo produttivo rappresenta un ulteriore miglioramento rispetto alla precedente tecnologia a 25nm. Lo shrink del processo produttivo porta solitamente a celle di memoria più piccole che tendono a deteriorarsi con l'utilizzo più velocemente, IMFlash ha però annunciato che con particolari accorgimenti sono riusciti a mantenere la stessa durabilità delle celle a 25nm.
I nuovi moduli NAND saranno compatibili con lo standard di comunicazione ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0 che garantisce una banda passante di 333 MT/s.
Il nuovo standard dovrebbe permettere ottimi incrementi prestazionali, mentre le nuove celle permetteranno di integrare 128GB di memoria FLASH in un unico package utilizzando 8 die a 128Gb, permettendo di integrare capacità notevoli anche in dispositivi mobile.
I nuovi moduli NAND saranno compatibili con lo standard di comunicazione ONFI (Open NAND Flash Interface) 3.0 che garantisce una banda passante di 333 MT/s.
Il nuovo standard dovrebbe permettere ottimi incrementi prestazionali, mentre le nuove celle permetteranno di integrare 128GB di memoria FLASH in un unico package utilizzando 8 die a 128Gb, permettendo di integrare capacità notevoli anche in dispositivi mobile.
Redazione XtremeHardware